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透明导电膜最近量产分析


 金属网格透明导电膜、屏蔽导电膜

透明导电膜近几年来国内外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、导电薄膜的表面改性、多层膜系的设计和制备工艺方面进行了深入的研究。例如,Wu Wen-Fa等利用R.F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯(PC)衬底上制备了厚度为250mm,电阻率为6&TImes; ~2(Ω·cm),透过率为74%~90%;Park Sung Kyu等利用R.F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了110nmITO,方块电阻是20O/□,透过率80%,但是表面的粗糙度较大;法国的David等,利用In-Sn合金靶在100℃下沉积在聚合物上的ITO薄膜透过率为85%,电阻率为~0.003Ω·cm,表面粗糙度为15-50,美国的Daeil.KIM用直接金属离子束沉积(DMIBD)方法在70℃的条件下制备的ITO薄膜最高透过率为85%,最低电阻率为4&TImes;Ω·cm,表面质量比较高;此外还有一些研究人员利用脉冲激光沉积(PLD),电子束热蒸发和金属离子辅助溅射等方法在低温甚至在室温的条件下进行高质量塑基的透明导电膜薄膜制备。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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